מצע LGS
תיאור
LGS יכול לשמש לייצור מכשירים פיזואלקטריים ואלקטרו-אופטיים.יש לו תכונות פיזואלקטריות בטמפרטורה גבוהה.מקדם הצימוד האלקטרומכני הוא פי שלושה מזה של קוורץ, וטמפרטורת מעבר הפאזות גבוהה (מטמפרטורת החדר לנקודת התכה של 1470 ℃).ניתן להשתמש בו במסור, BAW, חיישן טמפרטורה גבוהה ועוצמה גבוהה, מתג Q אלקטרו-אופטי בקצב חזרות גבוה.
נכסים
| חוֹמֶר | LGS (לה3Ga5SiO14） |
| קשיות (Mho) | 6.6 |
| צְמִיחָה | CZ |
| מערכת | מערכת ריגונלית, קבוצה 33 a=8.1783 C=5.1014 |
| מקדם התפשטות תרמית | a11:5.10 עד 33:3.61 |
| צפיפות (g/cm)3） | 5.754 |
| נקודת התכה (°C) | 1470 |
| מהירות אקוסטית | 2400 מ'/שנייה |
| תדר קבוע | 1380 |
| צימוד פיזואלקטרי | K2 BAW: 2.21 SAW:0.3 |
| קבוע דיאלקטרי | 18.27/ 52.26 |
| מתח פיזואלקטרי | D11=6.3 D14=5.4 |
| הַכלָלָה | No |
הגדרת מצע LGS
מצע LGS (Lithium Gallium Silicate) מתייחס לסוג מסוים של חומר מצע המשמש בדרך כלל לצמיחת סרטים דקים של גביש בודד.מצעי LGS משמשים בעיקר בתחומי התקנים אלקטרו-אופטיים ואקוסטו-אופטיים, כגון ממירי תדרים, מאפננים אופטיים, התקני גל אקוסטיים משטחים וכו'.
מצעי LGS מורכבים מיוני ליתיום, גליום וסיליקט עם מבני גביש ספציפיים.הרכב ייחודי זה נותן למצעים של LGS תכונות אופטיות ופיזיקליות אידיאליות עבור מגוון יישומים.מצעים אלו מציגים מדדי שבירה גבוהים יחסית, ספיגת אור נמוכה ושקיפות מצוינת בטווח אורך הגל הנראה עד אינפרא אדום.
מצעי LGS מתאימים במיוחד לגידול של מבני סרט דק מכיוון שהם תואמים לטכניקות שיקוע שונות כגון אפיטקסיית קרן מולקולרית (MBE) או שיטות גידול אפיטקסיאליות כגון שקיעה כימית (CVD).
מאפיינים ספציפיים של מצעי LGS, כגון מאפיינים פיזואלקטריים ואלקטרו-אופטיים, הופכים אותם לאידיאליים לייצור מכשירים הדורשים תכונות אופטיות מבוקרות מתח או יוצרים גלים אקוסטיים על פני השטח.
לסיכום, מצעי LGS הם סוג ספציפי של חומר מצע המשמש לגידול סרטים דקים חד-גבישים ליישומים במכשירים אלקטרו-אופטיים ואקוסטו-אופטיים.למצעים אלו תכונות אופטיות ופיזיות רצויות ההופכות אותם למתאימים למגוון יישומים אופטיים ואלקטרוניים.
